[갤럭시 S24] 삼성 AI의 첨병, LLW D램으로 AI 성능 극대화

내년 1분기 출시 예정인 삼성전자의 플래그십 스마트폰 갤럭시 S24에 'LLW D램'이 탑재될 전망이다.

LLW D램은 입출력 핀의 개수를 대폭 늘려 기존 D램 대비 메모리 전송 속도를 높인 기술이다.

삼성전자가 공개한 차세대 스마트폰 칩 아키텍처 (사진=삼성전자 '엑스(X)')

 

LLW D램의 탑재는 갤럭시 S24의 AI 추론 성능을 극대화할 것으로 기대된다.

AI 추론은 AI 모델이 새로운 데이터를 입력받아 결과를 도출하는 작업이다. 이 과정에서 많은 양의

데이터를 처리해야 하는데, LLW D램의 높은 메모리 대역폭은 이를 효과적으로 지원할 수 있다.

 

LLW D램은 기존 D램 대비 지연 현상도 최소화할 수 있다. 지연 현상은 CPU가 데이터를 처리하기 위해

메모리에서 데이터를 가져오는 과정에서 발생하는 현상으로, 성능 저하의 원인이 된다. LLW D램은 입출력

핀의 개수를 늘려 데이터 전송 속도를 높여 지연 현상을 줄일 수 있다.

사진 = Unsplash

 

삼성은 지난 30일 공식 SNS에 LLW D램을 탑재한 새로운 SoC 구조를 선보였다.

이 구조는 프로세서 바로 옆에 D램과 LLW가 연결된 형태로, CPU와 LLW가 함께 작동한다.

더 많은 메모리가 필요한 작업을 할 때는 나머지 D램 용량까지 빌려오는 방식이다.

이러한 구조는 스마트폰에서 AI 추론 작업을 할 때 매우 이상적이다. 특히 챗GPT를 비롯한 생성 AI의 경우,

높은 메모리 대역폭이 필수적이다. 이 때문에 엔비디아 GPU도 AI용 데이터센터를 구축할 때 HBM을 이용한다.

LLW D램은 스마트폰 산업계의 HBM 대체재로 자리매김할 잠재력이 있다.

 

앞서 삼성은 지난달 8일 국내에서 진행한 '삼성 AI 포럼 2023'에서 자체 생성 AI 모델인 '가우스'를 공개한 바 있다.

가우스는 언어, 코드, 이미지를 생성하는 총 3개 모델로 구성돼 있으며, 해당 기능은 삼성의 클라우드와 스마트폰 내

온 디바이스로 처리될 예정이다. 이번에 삼성이 공개한 새로운 D램이 잘만 작동한다면, 내년 출시될 갤럭시 S24는

말 그대로 삼성 AI의 첨병이 될 수 있다.

사진 = 연합뉴스

 

맺음말

 

LLW D램은 갤럭시 S24의 AI 추론 성능을 극대화할 것으로 기대된다.

기존 D램 대비 높은 메모리 대역폭과 지연 현상 최소화로 AI 모델의 성능을 향상시킬 수 있다.

이러한 LLW D램의 탑재는 삼성 AI의 성장에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 보인다. 가우스와 같은

생성 AI 모델은 높은 메모리 대역폭을 필요로 하는데, LLW D램이 이를 효과적으로 지원할 수 있기 때문이다.